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晶体管
IRG4PC30FPBF参考图片

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IRG4PC30FPBF

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库存:2,544(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.59 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
31 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537154
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC30FPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥2.7572
100:¥1.8645
500:¥1.5029
1,000:¥1.12209
3,000:¥1.02943
参考库存:12475
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
2,500:¥5.4918
5,000:查看
参考库存:9837
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5655
晶体管
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
9,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:30793
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