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晶体管
PD55025S-E参考图片

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PD55025S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:3,969(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥167.6694
167.6694
10
¥162.9008
1629.008
100
¥149.9962
14999.62
250
¥143.4648
35866.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55025S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:2351
晶体管
MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.2207
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥3.0849
参考库存:8501
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
2,500:¥5.537
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4542
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥70.3086
10:¥63.5512
25:¥60.5454
100:¥52.5563
1,700:¥38.42
参考库存:3365
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