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晶体管
DMN1004UFV-7参考图片

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DMN1004UFV-7

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库存:3,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
2,000
¥1.3673
2734.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
商品其它信息
优势价格,DMN1004UFV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 2.5A N-Channel
1:¥3.4578
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:15372
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3843
1,000:¥1.8532
4,000:¥1.5707
参考库存:6941
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
参考库存:5678
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
9,000:¥0.62263
18,000:查看
参考库存:17111
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:26202
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