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晶体管
NTJD4105CT2G参考图片

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NTJD4105CT2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
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库存:17,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
3,000
¥0.75258
2257.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
27 V, 10.5 V
Id-连续漏极电流
630 mA, 775 mA
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms, 220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
920 mV, 830 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V, 8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC, 2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4105C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
506 ns, 36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
227 ns, 23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
83 ns, 13 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,NTJD4105CT2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
参考库存:4763
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
2,000:¥17.289
4,000:查看
参考库存:6215
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:5815
晶体管
IGBT 模块
1:¥732.6694
5:¥719.2224
10:¥686.8705
25:¥663.9767
参考库存:4772
晶体管
MOSFET -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
1:¥10.5316
10:¥9.2999
100:¥7.345
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
2,500:¥4.068
参考库存:8076
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