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晶体管
SI4501BDY-T1-GE3参考图片

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SI4501BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
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库存:5,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
2,500
¥2.4634
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 8 V
Id-连续漏极电流
9.5 A, 6.4 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 8 V
Qg-栅极电荷
25 nC, 42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.5 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S, 24 S
下降时间
10 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 34 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 22 ns
零件号别名
SI4501BDY-GE3
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,SI4501BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:3902
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:8277
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1:¥26.7358
10:¥22.7469
100:¥19.7524
250:¥18.6676
参考库存:3094
晶体管
IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:3554
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:5809
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