您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FDP030N06B-F102参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FDP030N06B-F102

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,728(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
195 A
Rds On-漏源导通电阻
2.67 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
205 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP030N06B_F102
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
206 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FDP030N06B_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP030N06B-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9794
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:4312
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥119.2602
10:¥118.0285
25:¥109.1919
100:¥100.3553
参考库存:3850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:9412
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
1:¥4.3844
10:¥3.39
100:¥2.5086
500:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:6424
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们