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晶体管
DMR935E10R参考图片

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DMR935E10R

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
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库存:9,633(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥2.9606
29.606
100
¥1.8419
184.19
500
¥1.6498
824.9
8,000
¥1.03734
8298.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
封装 / 箱体
SSMini6-F3-B
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 3 V
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Panasonic
集电极连续电流
- 50 mA
Pd-功率耗散
125 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DMR935E10R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:11594
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:5524
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:3917
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3653
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
2,500:¥5.65
参考库存:5487
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