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晶体管
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BD681

  • STMicroelectronics
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  • 达林顿晶体管 NPN Power Darlington
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6612
366.12
1,000
¥2.9267
2926.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD681
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BD681的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
参考库存:2538
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30305
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:30308
晶体管
达林顿晶体管 DARLINGTON 100V 8A Bipolar SM Trans
2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:30311
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:30314
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