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晶体管
STB120N4F6参考图片

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STB120N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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库存:3,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
1,000
¥11.30
11300
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB120N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB120N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:40722
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.5592
参考库存:40725
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:40728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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