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晶体管
PSMN1R9-40PLQ参考图片

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PSMN1R9-40PLQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 40 V 1.7 mOhm MOSFET
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库存：2,901(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2889
1528.89
500
¥13.3679
6683.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
349 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
118 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
195 ns
典型接通延迟时间
95 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PSMN1R9-40PLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.3843
参考库存:9046
SI7374DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:7048
STP100N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
参考库存:5350
STGIPQ3H60T-HLS
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:18252
NVMFS5C423NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A
5,000:¥3.7516
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:18255
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