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晶体管
STP5NK80Z参考图片

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STP5NK80Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
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1
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13.221
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP5NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4.25 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥199.0156
250:¥182.6532
500:¥173.8166
参考库存:36575
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
暂无价格
参考库存:36578
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双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:36581
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥308.9759
250:¥282.3079
参考库存:36584
晶体管
MOSFET RH Mosfet
1:¥2,906.5521
5:¥2,731.3569
参考库存:36587
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