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晶体管
FS150R07N3E4参考图片

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FS150R07N3E4

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数量单价合计
1
¥1,132.7007
1132.7007
5
¥1,110.4171
5552.0855
10
¥1,058.6292
10586.292
25
¥1,036.4134
25910.335
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R07N3E4BOSA1 SP000843726
商品其它信息
优势价格,FS150R07N3E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 30V
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.02943
10,000:¥0.9605
参考库存:5829
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥320.1177
5:¥309.3601
10:¥299.2918
25:¥276.7822
参考库存:2175
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:11413
晶体管
MOSFET 8.0V 1.6A 2.78W 78 mohms @ 4.5V
1:¥5.9212
10:¥5.1754
100:¥4.0002
500:¥2.9606
3,000:¥2.0792
6,000:查看
参考库存:34571
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
10,000:¥0.64523
20,000:查看
参考库存:19000
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