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晶体管
FS150R07N3E4参考图片

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FS150R07N3E4

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库存:2,109(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,132.7007
1132.7007
5
¥1,110.4171
5552.0855
10
¥1,058.6292
10586.292
25
¥1,036.4134
25910.335
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R07N3E4BOSA1 SP000843726
商品其它信息
优势价格,FS150R07N3E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:43862
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.0116
10,000:¥5.7743
参考库存:43865
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:43868
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥304.2073
2:¥295.9131
5:¥287.7658
10:¥279.5394
参考库存:43871
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,157.7463
5:¥2,105.8793
10:¥2,053.549
25:¥2,024.8131
参考库存:43874
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