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晶体管
TK65S04N1L,LQ参考图片

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TK65S04N1L,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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库存：2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
2,000
¥6.0681
12136.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK65S04N1L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK65S04N1L,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2NB60CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
5,000:¥2.2148
10,000:¥2.1809
25,000:¥2.1244
参考库存:27812
DMTH4008LFDFW-13
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
10,000:¥2.0001
参考库存:27815
PD57006TR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:27818
NTTFS5CS73NLTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8476
10,000:¥2.7346
25,000:¥2.6555
参考库存:6494
TPN2R805PL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
5,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:27823
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