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晶体管
BC 850B E6327参考图片

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BC 850B E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SilicnAF TRNSTRS
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库存:5,897(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC850
直流电流增益 hFE 最大值
450
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC850BE6327HTSA1 BC85BE6327XT SP000010572
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC 850B E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Complementary
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:12999
晶体管
MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.921
参考库存:7899
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 XSTR PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05994
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:50803
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:13334
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
参考库存:7357
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