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晶体管
TK3P50D,RQ(S参考图片

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TK3P50D,RQ(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
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数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.458
74.58
100
¥5.763
576.3
500
¥5.0737
2536.85
2,000
¥3.5369
7073.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK3P50D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK3P50D,RQ(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vces 12Vebo 500mA 625mW
10,000:¥0.71416
24,000:¥0.65314
50,000:¥0.63054
100,000:¥0.60681
参考库存:30845
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual N-Ch Enh Mode
2,500:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:7021
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BUJ303CD/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *
7,500:¥1.921
10,000:¥1.8532
25,000:¥1.7854
50,000:¥1.7515
参考库存:30850
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥456.1245
参考库存:30853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:30856
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