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晶体管
TSM015NA03CR RLG参考图片

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TSM015NA03CR RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥13.447
134.47
100
¥10.5994
1059.94
500
¥8.2264
4113.2
2,500
¥5.8873
14718.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33 nC, 67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
11 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN67D7L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥0.24634
30,000:¥0.23052
50,000:¥0.2147
参考库存:32411
MPSA66
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达林顿晶体管 . .
5,000:¥1.11418
10,000:¥1.04525
25,000:¥0.99101
50,000:¥0.9605
参考库存:32414
NVMFS6H858NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥7.4354
4,500:¥7.1642
9,000:¥6.8817
参考库存:32417
DMC566060R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
暂无价格
参考库存:32420
SI3403DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32423
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