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晶体管
STGF20H60DF参考图片

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STGF20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:3,478(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
37 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF20H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:13788
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:7586
晶体管
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.48364
参考库存:18294
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 30V
1:¥1.3108
10:¥1.1526
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:27127
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:5933
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