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晶体管
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IRFB260NPBF

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库存：3,882(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5207
185.207
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
380 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001551726
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB260NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFS4610
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:43862
NVMFS5C426NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.0116
10,000:¥5.7743
参考库存:43865
DRA5123J0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:43868
2N657
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥304.2073
2:¥295.9131
5:¥287.7658
10:¥279.5394
参考库存:43871
FS215R04A1E3DBOMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,157.7463
5:¥2,105.8793
10:¥2,053.549
25:¥2,024.8131
参考库存:43874
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