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晶体管
IRG7PH35UD-EP参考图片

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IRG7PH35UD-EP

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库存:2,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.5566
58.5566
10
¥52.9405
529.405
25
¥50.4884
1262.21
100
¥43.7988
4379.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
180 W
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001548020
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG7PH35UD-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.8364
25:¥4.068
100:¥3.6838
2,000:¥2.3843
参考库存:15372
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1,000:¥11.3678
2,000:¥10.8367
5,000:¥10.4525
参考库存:15375
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.2207
10:¥6.215
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3335
参考库存:4178
晶体管
MOSFET N-Channel 600V
1:¥47.799
10:¥39.6517
100:¥32.5779
250:¥31.5835
500:¥28.3517
800:¥28.3517
参考库存:1980
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:15382
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