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晶体管
PBSS4130PAN,115参考图片

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PBSS4130PAN,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.6894
26.894
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.08367
3251.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
75 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
165 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
370
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
240
Pd-功率耗散
1450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.080 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8066-H,LQ(S
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APT13003LZTR-G1
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2,000:¥0.44522
10,000:¥0.40002
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参考库存:29400
AFT18P350-4S2LR6
NXP / Freescale
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PBSS5350SS,115
Nexperia
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1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
10,000:¥1.356
25,000:¥1.2882
50,000:¥1.2543
参考库存:29406
TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba
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MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
2,000:¥3.955
10,000:¥3.8081
24,000:¥3.6838
参考库存:29409
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