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晶体管
BSZ16DN25NS3 G参考图片

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BSZ16DN25NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:7,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
5,000
¥5.65
28250
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
10.9 A
Rds On-漏源导通电阻
146 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ16DN25NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
5,000:¥3.9098
参考库存:23615
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -1A
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:2779
晶体管
IGBT 模块 600V 100A Dual
100:¥506.5338
参考库存:33292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:479609
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:55707
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