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晶体管
SIS932EDN-T1-GE3参考图片

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SIS932EDN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.9267
292.67
500
¥2.3956
1197.8
3,000
¥1.695
5085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SIS932EDN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE15031G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4983
2N2221A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:5070
IRFBC40LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥34.0356
10:¥28.2048
100:¥23.2102
250:¥22.5096
500:¥20.2044
参考库存:4032
BCX5316TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:47147
BFS17NTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:14967
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