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晶体管
SI4103DY-T1-GE3参考图片

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SI4103DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:3,969(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥4.8025
48.025
100
¥3.6386
363.86
500
¥3.0171
1508.55
1,000
¥2.4182
2418.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
26 ns, 28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns, 38 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns, 78 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 57 ns
商品其它信息
优势价格,SI4103DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8365
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:5623
晶体管
MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
3,000:¥1.3334
参考库存:9607
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN DUAL COMPLMNT SOT-963
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:17609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:44210
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