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晶体管
STGIB8CH60TS-E参考图片

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STGIB8CH60TS-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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库存:3,123(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥104.8075
104.8075
10
¥96.3551
963.551
25
¥92.3662
2309.155
100
¥81.3713
8137.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.91 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
50 W
封装 / 箱体
SDIP2B-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
STGIB8CH60TS-E
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIB8CH60TS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
1:¥17.063
10:¥14.4414
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
3,000:¥7.8422
参考库存:21645
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
参考库存:2737
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:9291
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
1:¥18.2156
10:¥15.4471
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
5,000:¥8.9948
参考库存:50830
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥178.1897
5:¥170.2006
10:¥164.9009
25:¥151.533
参考库存:1445
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