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晶体管
IPB038N12N3 G参考图片

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IPB038N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:3,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB038N12N3GATMA1 IPB38N12N3GXT SP000694160
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB038N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:13841
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:2263
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:33438
晶体管
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
参考库存:6268
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:22779
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