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晶体管
PSMN3R4-30BLE,118参考图片

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PSMN3R4-30BLE,118

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V 3.4 mo FET
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8704
3435.2
800
¥5.424
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
178 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
51.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
101 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
35.7 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,PSMN3R4-30BLE,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
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6:¥1,324.1792
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10,000:¥0.46104
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参考库存:31856
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