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晶体管
MJD112T4G参考图片

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MJD112T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
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库存:11,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4521
245.21
1,000
¥1.8984
1898.4
2,500
¥1.6159
4039.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD112
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 500, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
470 mg
商品其它信息
优势价格,MJD112T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥9.2208
25:¥7.7631
100:¥7.119
2,000:¥4.859
4,000:查看
参考库存:6640
晶体管
MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
参考库存:8327
晶体管
MOSFET 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6639
晶体管
MOSFET SF2 600V 41MOHM E TO247
1:¥64.6247
10:¥58.3984
25:¥55.6299
100:¥48.3301
参考库存:5110
晶体管
MOSFET 40/20V Nch Power Trench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:9904
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