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FF450R12IE4

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1
¥2,889.7942
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5
¥2,715.6047
13578.0235
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12IE4BOSA2 SP000609746
商品其它信息
优势价格，FF450R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KSC3265YMTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:11616
KSA733GBU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:7320
BC847CWT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENRL TRANSISTOR
1:¥1.07576
10:¥0.9605
100:¥0.33787
1,000:¥0.23052
10,000:¥0.15368
20,000:查看
参考库存:23861
DSA200100L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥2.8476
10:¥1.8419
100:¥0.86106
500:¥0.65314
3,000:¥0.40002
9,000:查看
参考库存:8709
PN3566
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥8.5315
10:¥7.0399
100:¥5.8534
500:¥4.52
参考库存:2663
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