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晶体管
IPP039N04L G参考图片

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IPP039N04L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,324(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP039N04LGXKSA1 IPP39N4LGXK SP000680782
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP039N04L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.938
参考库存:4560
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
1:¥898.9489
2:¥874.055
5:¥854.0766
10:¥829.1036
参考库存:3290
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:44017
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:111758
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8591
参考库存:6410
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