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晶体管
NSBA124EDXV6T1G参考图片

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NSBA124EDXV6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
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库存:10,648(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
4,000
¥0.71416
2856.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
357 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSBA124EDXV6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
60
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NSBA124EDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DIODES
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:6865
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.9097
参考库存:8959
晶体管
IGBT 晶体管 400V 18A IGBT CLAMP
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.3732
2,400:¥6.0003
参考库存:4969
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.2888
800:¥10.9836
参考库存:4999
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR DIFF 700V 1A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
参考库存:9072
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