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晶体管
FGA25N120ANTDTU参考图片

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FGA25N120ANTDTU

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库存:2,413(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.8942
30.8942
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.7469
2274.69
250
¥21.5943
5398.575
500
¥19.3682
9684.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA25N120ANTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGA25N120ANTDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA25N120ANTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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