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晶体管

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FS25R12W1T4

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库存:2,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥276.4658
276.4658
5
¥273.6295
1368.1475
10
¥255.0297
2550.297
25
¥243.5828
6089.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS25R12W1T4BOMA1 SP000255353
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS25R12W1T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
500:¥14.2945
5,000:¥14.2945
参考库存:5311
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
1,000:¥18.0574
2,000:查看
参考库存:6449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300mA 305V
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:11044
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:3816
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:45299
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