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FS25R12W1T4

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数量单价合计
1
¥276.4658
276.4658
5
¥273.6295
1368.1475
10
¥255.0297
2550.297
25
¥243.5828
6089.57
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS25R12W1T4BOMA1 SP000255353
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格，FS25R12W1T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2905A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥87.9818
200:¥80.2187
500:¥74.9981
1,000:¥68.8509
参考库存:39622
NVD4810NT4G-TB01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
2,500:¥3.0284
10,000:¥2.9154
25,000:¥2.825
参考库存:39625
STP120N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:5663
RN4981(T5L,F,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:39630
MX2N4858
Microsemi
晶体管
JFET JFET
1:¥623.0933
2:¥610.7989
5:¥604.1884
10:¥585.2948
参考库存:39633
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