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晶体管
RGT8NS65DGTL参考图片

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RGT8NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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库存:2,921(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6614
76.614
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1019
4101.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
65 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGT8NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.7065
1,000:¥4.4974
2,500:¥3.9889
参考库存:5578
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8830
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:3536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:5814
晶体管
MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:5986
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