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晶体管
RGT8NS65DGTL参考图片

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RGT8NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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库存:2,921(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6614
76.614
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1019
4101.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
65 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGT8NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:5897
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥16.0573
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥9.0626
1,000:¥7.4693
3,000:¥7.4693
参考库存:17438
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:7046
晶体管
MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:5625
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13716
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