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晶体管
HGTG18N120BND参考图片

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HGTG18N120BND

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数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥40.567
405.67
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.3463
8336.575
500
¥29.8885
14944.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG18N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG18N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG18N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:5567
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
4,000:¥2.4973
参考库存:9210
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:10648
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:6649
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9356
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