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晶体管
KSC5305DTU参考图片

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KSC5305DTU

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库存:2,396(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2884
528.84
500
¥4.6669
2333.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
800 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC5305D
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
22
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSC5305DTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,KSC5305DTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:28060
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:28063
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:28066
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
4:¥3,503.7458
8:¥3,292.594
参考库存:28069
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