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晶体管
RS1E280BNTB参考图片

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RS1E280BNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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库存:5,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
2,500
¥1.7628
4407
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
94 nC
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.2 mm
晶体管类型
1 N-channel
宽度
3 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
RS1E280BN
商品其它信息
优势价格,RS1E280BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:16723
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
参考库存:16726
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.3843
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:5529
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
1,000:¥26.8149
2,000:查看
参考库存:16731
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
5,000:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:7534
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