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晶体管
RS1E280BNTB参考图片

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RS1E280BNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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库存:5,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
2,500
¥1.7628
4407
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
94 nC
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.2 mm
晶体管类型
1 N-channel
宽度
3 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
RS1E280BN
商品其它信息
优势价格,RS1E280BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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