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晶体管
C3M0120090D参考图片

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C3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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数量单价合计
1
¥49.4036
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
21.1 m
长度
16.13 mm
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,C3M0120090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:17353
晶体管
MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
1:¥108.1184
10:¥99.4287
25:¥95.2816
100:¥83.9816
参考库存:3975
晶体管
MOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:6534
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥9.0626
参考库存:14094
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:35711
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