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晶体管
CSD17327Q5A参考图片

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CSD17327Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
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库存:30,069(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.8928
7232
10,000
¥2.7685
27685
22,500
¥2.6894
60511.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
15.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17327Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17327Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
12,000:¥1.8193
24,000:¥1.7854
参考库存:31506
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
参考库存:31509
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enhanced
9,000:¥0.69156
24,000:¥0.65314
45,000:¥0.58421
99,000:¥0.56048
参考库存:31512
晶体管
JFET JFET
100:¥378.5161
250:¥346.7744
参考库存:31515
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥4.4748
10,000:¥4.3053
参考库存:31518
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