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产品分类

晶体管
A2T18S260W12NR3参考图片

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A2T18S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存:30,043(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,369.2097
342302.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.7 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L-4
封装
Reel
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935313167528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
优势价格,A2T18S260W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:5369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:67093
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:12303
晶体管
MOSFET 200V NChannel UniFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.0906
参考库存:5306
晶体管
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:16071
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