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晶体管
DMC3730UVT-13参考图片

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DMC3730UVT-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode
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库存：30,049(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.68365
6836.5
20,000
¥0.63732
12746.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
680 mA, 460 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms, 1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV, 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.64 nC, 1.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
0.9 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13 ns, 35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 9 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 7 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格，DMC3730UVT-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848A-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
参考库存:83693
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:33548
MRF8VP13350GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,033.1929
参考库存:33551
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40A CJ61 FAST REC
527:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥5.9212
5,000:¥5.7065
参考库存:33554
BUK7K12-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60V Mosfet
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:7204
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