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晶体管
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AFT18S230SR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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数量单价合计
50
¥786.2992
39314.96
100
¥731.2908
73129.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19 dB
输出功率
50 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-6
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
系列
AFT18S230S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935311128178
单位重量
4.611 g
商品其它信息
优势价格，AFT18S230SR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2219AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥92.8973
250:¥84.6822
500:¥79.2243
1,000:¥72.6929
参考库存:37517
JANTX2N3637L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥173.8844
250:¥159.6012
500:¥151.9172
参考库存:37520
2N3636UB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥105.3499
250:¥96.05
500:¥89.8237
1,000:¥82.377
参考库存:37526
RM30P55LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.599
5,000:¥2.3617
10,000:¥2.1583
25,000:¥2.1244
参考库存:37529
STW7N105K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:3167
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