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晶体管
CSD25310Q2T参考图片

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CSD25310Q2T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Pch MOSFET
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库存:13,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.5199
251.99
250
¥2.5199
629.975
1,000
¥1.9549
1954.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
19.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD25310Q2
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,CSD25310Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17413
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4290
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:3941
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:3383
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:3457
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