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晶体管
IKW50N65H5参考图片

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IKW50N65H5

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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库存:32,266(价格仅供参考)
数量单价合计
240
¥43.8779
10530.696
480
¥41.8778
20101.344
720
¥38.194
27499.68
1,200
¥33.2672
39920.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65H5FKSA1 SP001001734
商品其它信息
优势价格,IKW50N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:9992
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5088
500:¥5.7517
参考库存:6549
晶体管
MOSFET T8 80V SO8FL NCH S
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,500:¥4.5313
9,000:查看
参考库存:6995
晶体管
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:4191
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.9888
参考库存:11665
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