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晶体管
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2N6433

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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¥12.9837
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4,000
¥12.4526
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6433
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
5.33 mm
长度
5.84 mm
封装
Bulk
宽度
5.84 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N6433 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N6433的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:31183
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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