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晶体管
STB18N60DM2参考图片

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STB18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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库存:4,361(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STB18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:2061
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.2152
5,000:¥7.5484
10,000:查看
参考库存:10965
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
2,000:¥1.09836
参考库存:5673
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0964
500:¥6.2715
1,000:¥4.9494
1,500:¥4.9494
参考库存:2493
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
1:¥5.8421
10:¥4.7234
100:¥3.5821
500:¥2.9606
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.147
参考库存:11312
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