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晶体管
APTGLQ300A120G参考图片

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APTGLQ300A120G

  • Microsemi
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库存:31,028(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,193.6303
119363.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
500 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
Pd-功率耗散
1500 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ300A120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥14.0572
500:¥12.2944
参考库存:2631
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:8137
晶体管
MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V
1:¥30.8942
800:¥30.8942
参考库存:4096
晶体管
MOSFET N Chnl. 60V
1:¥5.989
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
参考库存:12463
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V Transistor
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥2.2713
参考库存:3914
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