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晶体管
CDM22011-600LRFP参考图片

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CDM22011-600LRFP

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
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数量单价合计
700
¥10.2152
7150.64
1,400
¥8.4524
11833.36
2,800
¥7.8422
21958.16
5,600
¥7.5484
42271.04
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23.05 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Bulk
系列
CDM
商标
Central Semiconductor
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，CDM22011-600LRFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR3410TRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
FQPF13N50C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
TSM2312CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
IRFH7936TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
SI1467DH-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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