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晶体管
CSD17484F4T参考图片

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CSD17484F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
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库存:14,781(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2204
122.04
250
¥1.2204
305.1
1,000
¥0.91417
914.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.0 A
Rds On-漏源导通电阻
128 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
920 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
1 mm
系列
CSD17484F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17484F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 22K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5264
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.4238
参考库存:5250
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:8258
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:6272
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2298
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