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晶体管
BSC100N06LS3GATMA1参考图片

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BSC100N06LS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:13,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSC100N06LS3 BSC1N6LS3GXT G SP000453664
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BSC100N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:6971
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:6006
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6784
100:¥7.91
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:12912
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