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晶体管
FDBL86063-F085参考图片

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FDBL86063-F085

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
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库存:3,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.3462
31.3462
10
¥26.668
266.68
100
¥23.1311
2313.11
250
¥21.8994
5474.85
2,000
¥15.7522
31504.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel Power Trench MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,FDBL86063-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8
1:¥7.2207
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:3565
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 700V/400V/4A/NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0679
参考库存:5310
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.4361
500:¥19.21
参考库存:5335
晶体管
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
3,000:¥2.7685
9,000:查看
参考库存:5346
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥49.6409
10:¥44.7932
25:¥42.7253
100:¥37.1092
参考库存:3024
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